В диапазоне энергий ионы не производят распыления материала

В таблице  приведены параметры некоторых металлов и полупроводников и значения пороговых энергий распыления ионами аргона. Для пороговой энергии в скобках приведены экспериментальные значения.

     В диапазоне энергий  ионы не производят распыления материала. Если на поверхности материала присутствуют адсорбированные инородные частицы и химические соединения, то в результате ионной бомбардировки происходят их десорбция и химические превращения. При росте энергии ионов интенсивность процесса физического распыления увеличивается. С увеличением длительности ионной бомбардировки (дозы ионного облучения) поверхностные слои монокристаллов превращаются вначале в поликристаллические, а затем в аморфные. Доза ионного облучения  D (Q) определяется выражением:

 или

            где j – плотность ионного потока на поверхности мишени;

              t – время облучения (травления);

             q – заряд иона;

            n – кратность заряда иона;

             e – заряд электрона.

     Толщина нарушенного слоя материала приблизительно равна удвоенной средней глубине проникновения ионов в материал и возрастает с увеличением дозы облучения.

     В таблице 3.2 приведены экспериментальные и рассчитанные значения коэффициентов распыления некоторых материалов ионами аргона в диапазоне энергий (0,1–5,0) кэВ. Экспериментальные значения приведены в скобках.

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector