Влияние вакуума на процесс нанесения тонких пленок.

1.        Нанесение тонких пленок в вакууме. Основные стадии протекания процесса. Методы генерации потока частиц. Физика процесса нанесения тонких пленок в вакууме.

2.        Влияние вакуума на процесс нанесения тонких пленок.

3.        Нанесение пленок методом термического испарения. Физика процесса. Влияние операционных и конструкционных параметров на скорость и равномерность нанесения пленок.

4.        Метод испарения с использованием резистивного нагрева.

5.        Метод испарения  с использованием нагрева электронным лучом.

6.        Диодные (катодные) системы ионного распыления.

7.        Нанесение пленок методом ионного распыления. Физика процесса. Механизм ионного распыления.

8.        Физика процесса магнетронного распыления. Магнетронные системы ионного распыления.

9.        Высокочастотный и реактивный методы ионного распыления.

10.   Резонансно-частотный и резистивный методы контроля параметров тонких пленок.

11.   Стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы. Механизм осаждения покрытий. Конструкции установок для процессов ПА ХОГФ.

12.   Стимулированное плазмой осаждение диоксида кремния. Химия процесса. Влияние операционных параметров на свойства формируемых пленок.

13.   Стимулированное плазмой осаждение нитрида кремния. Химия процесса. Влияние операционных параметров на свойства формируемых пленок.

14.   Стимулированное плазмой осаждение вольфрама и его силицидов. Химия процесса осаждения.

15.   Стимулированное плазмой осаждение молибдена и его силицидов. Химия процесса осаждения.

16.   Основное уравнение вакуумной техники.

17.   Электротехническая модель ВЧЕ-разряда. Потенциал самосмещения, постоянный потенциал плазмы и среднее падение напряжения в слое у нагруженного потенциала.

18.   Методы диагностики плазмы.  Эмиссионнаяспектроскопия.

19.   Методы диагностики плазмы.  Оптическая актинометрия.

20.   Определение момента окончания процесса травления с помощью метода оптической эмиссионной спектроскопии.

21.   Определение момента окончания процесса травления с помощью метода лазерной интерферометрии.

22.   Классификация элементов системы металлизации ИС. Требования, предъявляемые к материалам контактных слоев.

23.   Назначение и характеристики основных и вспомогательных технологических слоев многоуровневой металлизации.

24.   Многослойная многоуровневая система металлизации с медными межсоединениями. Преимущества ее использования и особенности формирования.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector