Вольт-амперная характеристика р-n перехода. и реального диода.

1.      Комплексная микроминиатюризация электронной аппаратуры. Уровни функционально-конструктивной сложности.

2.      Вольт-амперная характеристика р-n перехода. и реального диода.

3.      Средства стабилизации параметров внутрикорпусной среды.

4.      Металлооксидные резисторы. Специфика изготовления и применения.

5.      Микрокорпуса с выводами и безвыводные кристаллоносители.

6.      Основные технологии печатных плат: субтрактивная, комбинированная позитивная и аддитивные технологии. Сравнительные характеристики и основные технологические этапы.

7.      Принцип действия усилительного прибора.

8.      Углеродистые и бороуглеродистые резисторы.Материалы и основные технологические этапы изготовления

9.      Интегрированные технологии сборки многовыводных СБИС в корпуса с полной матрицей выводов.

10.  Модульный принцип проектирования.

11.  Полевой транзистор с управлением pn переходом. Конструкция, статические параметры и ВАХ.

12.  Тонкопленочные элементы микросхем.

13.  Конструктивно-технологические методы обеспечения эффективного теплостока от кристаллов в МКМ.

14.  Рельефная технология изготовления печатных плат. Изготовление многослойных печатных плат на слоистых пластиках, на полиимидных и керамических материалах. Сравнительная характеристика и основные технологические этапы.

15.  Перспективность создания электронных устройств молекулярного уровня в том числе на основе биоматериалов, обеспечивающих организацию цепей электронного транспорта.

16.  Режимы работы и схемы включения биполярного транзистора.

17.  Конструктивные исполнения бескорпусной элементной базы. Компьютерно-интегрированные технологии проволочного микромонтажа и монтажа СБИС с организованными выводами в производстве ЭВС.

18.  Климатические зоны. Факторы, входящие в группу климатических воздействий.

19.  Узловая сборка. Варианты сборки ячеек ЭВС. Основные и подготовительные технологические операции сборки. Индивидуальная и автоматизированная сборка. Средства реализации и технологические среды.

20.  Емкость pn перехода. Изготовление конденсаторов с оксидным диэлектриком.

21.  Факторы группы радиационных воздействий. Воздействие радиации на конструктивы и элементы ИС.

22.  Симультанные способы пайки при традиционном и поверхностном монтаже. Средства реализации. Состав технологических линий, технологические среды и средства обеспечения качества монтажа ячеек ЭУ.

23.   

24.  Статистические функции распределения носителей заряда в полупроводниках: Максвелла-Больцмана и Ферми-Дирака.

25.  Конструктивно-технологические особенности сборки и монтажа бескорпусных микросхем на гибких полиимидных носителях.

26.  Гибкие производственные системы (ГПС). Общие представления о ГПС, их основные характеристики (переналаживаемость, гибкость и др.), оценка гибкости и состав простейшей структурной единицы ГПС.

27.  Фотолитография. Состав операций, применение в технологии МЭ.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector