Технологический маршрут изготовления СВЧ ГИС и МСБ

1.      Нанесение технологического защитного покрытия на поверхность подложки с обеих сторон. Применяется при механической обработке подложек, сверлении отверстий и др.

2.      Сверление отверстий в подложках на скоростном сверлильном станке алмазным инструментом, либо прошивка отверстий лазерным лучом или ультразвуком.

3.      Удаление технологического защитного покрытия.

4.      Очистка подложек. Сначала производится очистка от полировочных паст на ультразвуковой установке, затем плазмохимическая обработка, после чего следует сушка в потоке нейтрального газа.

5.      Формирование резисторов, тонкопленочных проводников и контактных площадок вакуумным напылением с применением масочного метода или фотолитографии. Масочный метод: напыление резистивного слоя через маску; напыление электропроводящих слоев для получения площадок через маску. Фотолитография (ФЛ): метод получения рисунка в напыленных слоях (по всей поверхности подложки). Последовательность выполнения ФЛ может быть разной. Если есть в схеме резисторы, то все слои могут напыляться в одном технологическом цикле, после чего проводят ФЛ последовательно в каждом слое (начиная с верхнего слоя), в этом случае речь идет о двойной ФЛ. Иногда напыляют резистивный слой и проводят ФЛ в этом слое, а затем напыляют проводники и контактные площадки, после чего следует ФЛ в проводящем слое. В последнем случае точность изготовления элементов хуже, но электрические характеристики могут быть лучшими по сравнению с двойной ФЛ.

6.      Доводка номиналов сопротивлений резисторов отжигом.

7.      Электролитическое доращивание основного электропроводящего слоя до требуемой толщины (обычно до 20 мкм).

Химическое или электрохимическое осаждение антикоррозийного покрытия проводящих элементов (Au, Ag, SnPb, либо SnVi

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector