Фотолитография (ФЛ) n-карман

Если по заданию длина канала равна Lмин=2λ=1 мкм и более, то для создания таких приборов может быть использован (в качестве базового) технологический маршрут, приведенный в разработке (приведен маршрут, рисунки, пояснения к моделированию технологических процессов в Prowize):  Г.И. Глазова, С.Г. Исакина, М.А. Ревелева, Лабораторный практикум по курсу “Моделирование технологических процессов”, 1994.

Также может быть использован маршрут (Lмин=2λ=0.5-0.8 мкм и более) приведенный в приложении 1. Описание и иллюстрации для данного маршрута приведены в книге Зи С. “Технология СБИС”, том  2 стр.237-241.

Если длина канала равна Lмин=2λ=0.35 мкм и менее, то необходимо использовать представленный ниже технологический маршрут создания КМОП-структуры:

Подложка, ориентация 100, B, 1e15 см-3

Фотолитография (ФЛ) n-карман

Ионное легирование (ИЛ)  n-кармана: P, доза=1e13, энергия 300 кэВ

Удаление фоторезиста (ФР)

Отжиг кармана: Время 20 сек, температура 1050 градусов Со

ФЛ подлегирование n-канала nМОП транзистора

ИЛ –защита от смыкания ОПЗ сток-исток: P, доза=1e12, энергия 80 кэВ

ИЛ –подгонка порога nМОПТ: P, доза=1e11, энергия 25 кэВ

Удаление ФР

ФЛ подлегирование p-канала pМОП транзистора

ИЛ –защита от смыкания ОПЗ сток-исток: B, доза=1e13, энергия 80 кэВ

ИЛ –подгонка порога pМОПТ: P, доза=2e12, энергия 25 кэВ

Удаление ФР

Быстрый отжиг: Время 10 сек, температура 1050 градусов Со

Окисление под затвор: Время 10мин, температура 900 градусов Со , атмосфера O2

Нанесение поликремневого затвора: Толщина  0.2 мкм

ФЛ Формирование затворов

Травление затворов: Анизотропное травление поликремния и оксида до кремния

Удаление ФР

Окисление затвора: Время 10мин, температура 900 градусов Со , атмосфера O2

ФЛ Формирование nLDD областей nМОПТ

ИЛ –nLDD: As, доза=4e14, энергия 10 кэВ

Удаление ФР

ФЛ Формирование pLDD областей pМОПТ

ИЛ –pLDD: BF2, доза=1e14, энергия 10 кэВ

УдалениеФР

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector