Сечение и Краткая топология структуры

— Рисунок топологии КМОП — инвертора (или транзистора), описание всех областей (переходов, затворов, областей изоляции)

— описание материалов, затвора, концентраций примесей в подложке

— Перечисление данных из курсовой работы по схемотехнике:

            — Уровень технологии: Lмин=2λ=     мкм

            — Глубина залегания стока(истока), мкм   примерно λ

            — Глубина залегания n-кармана, мкм  примерно 6λ /0.8

            Толщина подзатворного оксида, нм   (10-50)

            — Напряжение питания (максимальное напряжение сток-исток и затвор исток) 2-5 В

            — Пороговое напряжение n— и p— канальных транзисторов

            — Тип затвора – n+-поликремний или р+- поликремний

2 Разработка полного технологического маршрута создания структуры базового элемента (КМОП — пары) (см также пояснения)

— Краткая маршрутная карта с иллюстрациями

— Расчет элементов маршрута создания n— и p-МОП транзисторов имеющих параметры в соответствии с исходными данными (Xjсток, Xjкарман, Tоксида, Uпорог-n,p)

Иллюстрации результатов расчета – распределения примесей в сечениях затвора и стока,

Пороговые ВАХ

— Полный подробный окончательный маршрут с конкретными режимами (Дозами, временами и температурами отжигов)

 

3 Oписание критической операции

— что за операция, для чего применяется

— методы проведения, достоинства, недостатки, методы контроля за проведением

 

4 Литература, например:

— Зи С., Технология СБИС, 1986

— Г.И. Глазова, С.Г. Исакина, М.А. Ревелева, Лабораторный практикум по курсу “Моделирование технологических процессов”, 1994

— В.В. Баринов, В. Онацко, Шишина Л.Ю., Основы топологического проектирования ИМС, 1994

— Г.Я. Красников, Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, ч.1-2, 2002

 

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector