Интеграция процессов металлизации

В микросхемах с субмикронными размерами элементов маршрут формирования металлизации существенно отличается от маршрута микросхем с микронными размерами. Совокупность требований функциональности, совместимости процессов и надежности изделий не удается обеспечить только технологическими методами. Требуются и серьезные конструктивные изменения, определяющие правила проектирования электрических соединений.

Отметим основные проблемы, возникающие в процессе создания многоуровневой системы электрических соединений:

а) «Теневой» эффект на рельефе физической структуры, приводящий к обрыву металлических проводников.

б) Термомеханические напряжения в изолирующем диэлектрике, приводящие к появлению трещин.

в) Радиационные дефекты в физической структуре полупроводниковых приборов, возникающие под воздействием рентгеновского, электронного и ионного излучений технологических установок.

г) «Антенный» эффект состоящий в деградации подзатворного диэлектрика МОПТ под воздействием тока плазменного разряда в процессах травления металла и осаждения диэлектриков.

д) Электромагнитный эффект, возникающий в длинных проводниках, при обработке пластин в мощных высокочастотных плазменных установках. Наведенная электромагнитным полем электродвижущая сила (ЭДС) способна вызвать пробой и деградацию подзатворного диэлектрика в МОПТ.

Рельеф в структуре электрических соединений возникает в двух процессах: при травлении переходных контактных окон в изолирующем диэлектрике между уровнями металлизации, а также  при формировании металлических проводников.

Контактные окна травятся анизотропно с вертикальными стенками. Глубина окна примерно вдвое больше диаметра. Все окна одинакового

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector