Кинетика физического растворения на межфазной поверхности.

1.      Кинетика физического растворения на межфазной поверхности.

2.      Назначение и основные параметры фотолитографии.

3.      Оценка производительности ГИ одиночного набора «с остановом».

4.      Процесс и эффективность очистки в электрофильтрах.

5.      Последовательность и назначение операций фотолитографической обработки.

6.      Параксиальная область в ОС и уравнение параксиального луча.

7.      Классификация, схемы фильтров и их применение.

8.      Факторы, определяющие разрешающую способность фотолитографии.

9.      Устройства механического перемешивания с вращательным движением и их характеристика.

10.Схемы и характеристика способов нанесения пленок на подложки из раствора.

11.Процесс и устройства УЗ-очистки.

12.Процесс формирования пленки фоторезиста на подложке методом центрифугирования, зависимость толщины пленки.

13.Технологические схемы изготовления фотошаблонов.

14.Устройство и характеристика центробежных распылителей жидкости.

15.Определение размеров краевого валика на подложке.

16.Принцип Аббе.

17.Устройство и характеристика газовых распылителей жидкости.

18.Устройство и принцип работы центрифуги с быстрым разгоном.

19.Устройства механического перемешивания с возвратно-поступательным движением.

20.Процесс образования утолщенных областей по углам  некруглых подложек при нанесении фоторезиста на центрифуге.

21.Устройство и характеристика гидравлических форсунок.

22.Схема и описание установки нанесения пленок методом распыления.

23.Пневматическое перемешивание. Схема расчета барботера.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector