Назначение и основные параметры фотолитографии

1.      Назначение и основные параметры фотолитографии.

2.      Оценка производительности ГИ одиночного набора «с остановом».

3.      Процесс и эффективность очистки в электрофильтрах.

4.      Последовательность и назначение операций фотолитографической обработки.

5.      Параксиальная область в ОС и уравнение параксиального луча.

6.      Классификация, схемы фильтров и их применение.

7.      Факторы, определяющие разрешающую способность фотолитографии.

8.      Зрачки и люки, апертурная и полевая диафрагма.

9.      Устройства механического перемешивания с вращательным движением и их характеристика.

10.Схемы и характеристика способов нанесения пленок на подложки из раствора.

11.Ограничение световых пучков.

12.Процесс и устройства УЗ-очистки.

13.Процесс формирования пленки фоторезиста на подложке методом центрифугирования, зависимость толщины пленки.

14.Технологические схемы изготовления фотошаблонов.

15.Устройство и характеристика центробежных распылителей жидкости.

16.Определение размеров краевого валика на подложке.

17.Принцип Аббе.

18.Устройство и характеристика газовых распылителей жидкости.

19.Устройство и принцип работы центрифуги с быстрым разгоном.

20.Правила знаков в геометрической оптике.

21.Устройства механического перемешивания с возвратно-поступательным движением.

22.Процесс образования утолщенных областей по углам  некруглых подложек при нанесении фоторезиста на центрифуге.

23.Плоскопараллельные пластины.

24.Устройство и характеристика гидравлических форсунок.

25.Схема и описание установки нанесения пленок методом распыления.

26.Оптический клин.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector