Общий вид формулы для оценки равномерности распределения пленки

1.            Способы обеспечения высокой равномерности распределения пленки по толщине при магнетронном распылении.

2.            Общий вид формулы для оценки равномерности распределения пленки по толщине при магнетронном распылении.

3.            Необходимость и особенности ВЧ РС.

4.            Чем объясняются потери мощности в ВЧ разряде и способы их устранения.

5.            Основные особенности РС с автономными ионными источниками (ИИ).

6.            Типы ИИ, предназначенных для распыления материала.

7.            Методы измерения толщины пленки и скорости нанесения материала.

8.            Что лежит в основе метода кварцевого вибратора для контроля процесса осаждения пленки, его достоинства и недостатки?

9.            Способы удаления фоновых токов при контроле процесса осаждения пленки ионизационным методом?

10.       На каком эффекте основаны фотометрические методы контроля процесса осаждения пленки?

11.       Физические эффекты, используемые при интерферационном методе контроля толщины пленки, и основные компоненты измерительной системы.

12.       Основные требования к процессу травления материала при производстве микроструктур.

13.       Классификация процессов вакуумно-плазменного травления.

14.       Состав установки вакуумно-плазменного травления.

15.       Способы реализации процесса ионного травления материала, их достоинства и недостатки.

16.       Основные стадии процесса плазмохимического травления.

17.       Что собой представляет источник радикалов?

18.       Основные достоинства систем ионнохимического травления материала.

19.       Что собой представляет индуктивно-связанная плазма и как ее получить?

20.       Как реализуется масс-спектрометрический метод контроля процесса травления материала?

21.       Как реализуется эмиссионно-спектральный метод контроля процесса травления материала?


Ссылка на основную публикацию
Adblock detector