Влияние магнитного поля на процесс плазмообразования было рассмотрено в теоретическом

Влияние магнитного поля на процесс плазмообразования было рассмотрено в теоретическом разделе курса [ 1 ]. Магнитное поле изменяет траекторию движения легких электронов, в результате чего путь электрона в области плазмообразования существенно увеличивается, а значит, возрастает и число ионизирующих столкновений с атомами.

При параллельных электрическом и магнитном полях (Е||Н-поля) эмитированные с катода электроны двигаются к аноду по спиралеобразным траекториям. В случае скрещенных ЕН-полей электроны двигаются перпендикулярно как электрическому, так и магнитному полю, т.е. вдоль распыляемой поверхности, при этом в однородных полях траектория движения представляет собой циклоиду.

Диодные РС с ЕН-полями получили название магнетронных распылительных систем (МРС), а метод распыления в ЕН-полях был назван методом магнетронного распыления.

В настоящее время магнетронное распыление материалов является одним из наиболее перспективных методов нанесения пленок и относится к высокоэффективным методам ионно-плазменного распыления в вакууме. Распыление осуществляется потоком высокоэнергетических ионов, бомбардирующих поверхность распыляемого материала, источником которых является высокоинтенсивная плазма аномального тлеющего разряда, генерируемая в скрещенных электрическом и магнитном полях. Сильное магнитное поле специфической конфигурации формирует замкнутую магнитную ловушку для плазмы и локализует ее непосредственно у распыляемой поверхности.

Схематично конструкция МРС показана на рис. 1.19. MPC состоит из магнетронного распылительного устройства (МРУ), системы питания 5 и держателя 7 обрабатываемых изделий 6.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector